IXGX120N60B3
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGX120N60B3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IXGX120N60B3 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 280A 780W PLUS247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | IXYS | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 4.731 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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IXGX120N60B3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGX120N60B3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGX120N60B3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 280A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 600A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A |
| Leistung - max | 780W |
| Schaltenergie | 2.9mJ (on), 3.5mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 465nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/227ns |
| Testbedingung | 480V, 100A, 2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PLUS247™-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 8A Leistung - max 99W Schaltenergie 70µJ (on), 145µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/95ns Testbedingung 400V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 130µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/99ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 28A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 7A Leistung - max 24W Schaltenergie 99µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 400V, 7A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 136ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 270W Schaltenergie 6.5mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 48ns/480ns Testbedingung 600V, 40A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
