RGTH80TS65GC11
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| Teilenummer | RGTH80TS65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTH80TS65GC11 |
| Beschreibung | 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.744 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTH80TS65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTH80TS65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTH80TS65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 234W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 79nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/120ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 60W Schaltenergie 165µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 480V, 7A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max 235W Schaltenergie 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/54ns Testbedingung 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 339W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 208nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 730ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
