IRG8CH20K10F
Nur als Referenz
Teilenummer | IRG8CH20K10F |
PNEDA Teilenummer | IRG8CH20K10F |
Beschreibung | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.862 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRG8CH20K10F Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRG8CH20K10F |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRG8CH20K10F Datasheet
- where to find IRG8CH20K10F
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRG8CH20K10F
- IRG8CH20K10F PDF Datasheet
- IRG8CH20K10F Stock
- IRG8CH20K10F Pinout
- Datasheet IRG8CH20K10F
- IRG8CH20K10F Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRG8CH20K10F Price
- IRG8CH20K10F Distributor
IRG8CH20K10F Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
Leistung - max | - |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 90nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/170ns |
Testbedingung | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX4™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 70A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 12A Leistung - max 160W Schaltenergie 440µJ (on), 220µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/158ns Testbedingung 400V, 12A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 43ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 370µJ (on), 530µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/183ns Testbedingung 400V, 15A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max 79W Schaltenergie 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/220ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 45W Schaltenergie 650µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/135ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |