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IRG8CH106K10F

IRG8CH106K10F

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8CH106K10F
PNEDA Teilenummer IRG8CH106K10F
Beschreibung IGBT 1200V 110A DIE
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.218
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IRG8CH106K10F Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8CH106K10F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8CH106K10F, IRG8CH106K10F Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 197,43 KB)
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IRG8CH106K10F Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 110A
Leistung - max-
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge700nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.80ns/380ns
Testbedingung600V, 110A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 55A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/365ns

Testbedingung

960V, 55A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRGB4064DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

Leistung - max

101W

Schaltenergie

29µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/79ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

118A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

1mJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

44nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/75ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

STGB7H60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

28A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

99µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

400V, 7A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

270µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/42ns

Testbedingung

300V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

MAX3491ESD

MAX3491ESD

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

ARF444

ARF444

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NM93CS46M8

NM93CS46M8

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

L298P

L298P

STMicroelectronics

IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

TOP224PN

TOP224PN

Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP