IRG8CH106K10F
Nur als Referenz
Teilenummer | IRG8CH106K10F |
PNEDA Teilenummer | IRG8CH106K10F |
Beschreibung | IGBT 1200V 110A DIE |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.218 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRG8CH106K10F Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IRG8CH106K10F |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IRG8CH106K10F Datasheet
- where to find IRG8CH106K10F
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRG8CH106K10F
- IRG8CH106K10F PDF Datasheet
- IRG8CH106K10F Stock
- IRG8CH106K10F Pinout
- Datasheet IRG8CH106K10F
- IRG8CH106K10F Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRG8CH106K10F Price
- IRG8CH106K10F Distributor
IRG8CH106K10F Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
Leistung - max | - |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 700nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 80ns/380ns |
Testbedingung | 600V, 110A, 1Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 55A Leistung - max 200W Schaltenergie 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/365ns Testbedingung 960V, 55A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.91V @ 15V, 10A Leistung - max 101W Schaltenergie 29µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/79ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 118A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 270W Schaltenergie 1mJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 44nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/75ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 120ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 28A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 7A Leistung - max 88W Schaltenergie 99µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 400V, 7A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 136ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 270µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/42ns Testbedingung 300V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |