IRG8CH106K10F
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| Teilenummer | IRG8CH106K10F |
| PNEDA Teilenummer | IRG8CH106K10F |
| Beschreibung | IGBT 1200V 110A DIE |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.218 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG8CH106K10F Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG8CH106K10F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG8CH106K10F Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 700nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 80ns/380ns |
| Testbedingung | 600V, 110A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 577W Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 87nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/177ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 270µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/42ns Testbedingung 300V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 330A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 55A Leistung - max 200W Schaltenergie 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/365ns Testbedingung 960V, 55A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 120A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 240nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/160ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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