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ISL9V5036S3

ISL9V5036S3

Nur als Referenz

Teilenummer ISL9V5036S3
PNEDA Teilenummer ISL9V5036S3
Beschreibung IGBT 390V 46A 250W TO262AA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ISL9V5036S3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL9V5036S3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
ISL9V5036S3, ISL9V5036S3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 424,12 KB)
PDFISL9V5036S3 Datenblatt Cover
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ISL9V5036S3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieEcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)46A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 4V, 10A
Leistung - max250W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/10.8µs
Testbedingung300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketTO-262AA

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

90µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/100ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

380µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/87ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

STGB30NC60KT4

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

125A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

185W

Schaltenergie

350µJ (on), 435µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

96nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/120ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

SGP15N120XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Leistung - max

198W

Schaltenergie

1.9mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/580ns

Testbedingung

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.02V @ 15V, 4A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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-

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-

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