STGB30NC60KT4
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| Teilenummer | STGB30NC60KT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB30NC60KT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 185W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.804 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB30NC60KT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB30NC60KT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB30NC60KT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 125A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 185W |
| Schaltenergie | 350µJ (on), 435µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 96nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 29ns/120ns |
| Testbedingung | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 620µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/100ns Testbedingung 800V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 51ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 76A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 152A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 41A Leistung - max 200W Schaltenergie 8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/600ns Testbedingung 480V, 41A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7.2V @ 15V, 3A Leistung - max 68W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 26nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 3A, 47Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
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