STGF4M65DF2
Nur als Referenz
Teilenummer | STGF4M65DF2 |
PNEDA Teilenummer | STGF4M65DF2 |
Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 18.024 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
STGF4M65DF2 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | STGF4M65DF2 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STGF4M65DF2 Datasheet
- where to find STGF4M65DF2
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STGF4M65DF2
- STGF4M65DF2 PDF Datasheet
- STGF4M65DF2 Stock
- STGF4M65DF2 Pinout
- Datasheet STGF4M65DF2
- STGF4M65DF2 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STGF4M65DF2 Price
- STGF4M65DF2 Distributor
STGF4M65DF2 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | M |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 16A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung - max | 23W |
Schaltenergie | 40µJ (on), 136µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 15.2nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/86ns |
Testbedingung | 400V, 4A, 47Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 133ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-220FP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 430A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 20A Leistung - max 417W Schaltenergie 23mJ (on), 2.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 425nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/370ns Testbedingung 1500V, 20A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 864ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 174W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/94ns Testbedingung 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A Leistung - max 195W Schaltenergie 410µJ (on), 950µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/150ns Testbedingung 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 460µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.3nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/40ns Testbedingung 450V, 8A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 114ns Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 210W Schaltenergie 1.06mJ (on), 620µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/160ns Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |