FGA70N30TTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGA70N30TTU |
| PNEDA Teilenummer | FGA70N30TTU |
| Beschreibung | IGBT 300V 201W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.106 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGA70N30TTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA70N30TTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA70N30TTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 201W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 125nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 395V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 37.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/15µs Testbedingung 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/280ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 214W Schaltenergie 915µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/75ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 176ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 72A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 216A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 27A Leistung - max 500W Schaltenergie 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 270nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/195ns Testbedingung 960V, 27A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 70µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/190ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
