HGTG27N120BN
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| Teilenummer | HGTG27N120BN |
| PNEDA Teilenummer | HGTG27N120BN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 72A 500W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG27N120BN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG27N120BN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG27N120BN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 72A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 216A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 27A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 270nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/195ns |
| Testbedingung | 960V, 27A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 150µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/150ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 7A Leistung - max 83W Schaltenergie 99µJ (on), 104µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.9ns/32.3ns Testbedingung 400V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 32.3ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 27A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-273AA Lieferantengerätepaket SUPER-220™ (TO-273AA) |
