HGTG27N120BN
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| Teilenummer | HGTG27N120BN |
| PNEDA Teilenummer | HGTG27N120BN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 72A 500W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.732 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG27N120BN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG27N120BN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG27N120BN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 72A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 216A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 27A |
| Leistung - max | 500W |
| Schaltenergie | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 270nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 24ns/195ns |
| Testbedingung | 960V, 27A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 268W Schaltenergie 1.01mJ (on), 297µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 72.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.2ns/65.6ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31.8ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
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