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IXXK160N65B4

IXXK160N65B4

Nur als Referenz

Teilenummer IXXK160N65B4
PNEDA Teilenummer IXXK160N65B4
Beschreibung IGBT 650V 310A 940W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXXK160N65B4 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXK160N65B4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXK160N65B4, IXXK160N65B4 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 210,4 KB)
PDFIXXK160N65B4 Datenblatt Cover
IXXK160N65B4 Datenblatt Seite 2 IXXK160N65B4 Datenblatt Seite 3 IXXK160N65B4 Datenblatt Seite 4 IXXK160N65B4 Datenblatt Seite 5 IXXK160N65B4 Datenblatt Seite 6

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IXXK160N65B4 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX4™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)310A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)860A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 160A
Leistung - max940W
Schaltenergie3.3mJ (on), 1.88mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge425nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.52ns/220ns
Testbedingung400V, 80A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXXK)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

600V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

62A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

208W

Schaltenergie

220µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/184ns

Testbedingung

400V, 15A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

92ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/55ns

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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-

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12A

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30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Leistung - max

94W

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