FGA70N30TTU Datenblatt
FGA70N30TTU Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGA70N30TTU
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 20A Leistung - max 201W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 125nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |