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STGB7H60DF

STGB7H60DF

Nur als Referenz

Teilenummer STGB7H60DF
PNEDA Teilenummer STGB7H60DF
Beschreibung IGBT 600V 14A 88W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGB7H60DF Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB7H60DF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB7H60DF, STGB7H60DF Datenblatt (Total Pages: 25, Größe: 979,33 KB)
PDFSTGB7H60DF Datenblatt Cover
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STGB7H60DF Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)28A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 7A
Leistung - max88W
Schaltenergie99µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge46nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/160ns
Testbedingung400V, 7A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)136ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

67ns/230ns

Testbedingung

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRG7CH35UEF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/160ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

800µJ (on), 900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/170ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

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