IRG8P25N120KDPBF
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| Teilenummer | IRG8P25N120KDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG8P25N120KDPBF |
| Beschreibung | IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.502 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG8P25N120KDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG8P25N120KDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG8P25N120KDPBF, IRG8P25N120KDPBF Datenblatt
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IRG8P25N120KDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 180W |
| Schaltenergie | 800µJ (on), 900µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/170ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 320W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 75ns/315ns Testbedingung 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max 62W Schaltenergie 220µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/260ns Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 90nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/55ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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