APT30GP60BG
Nur als Referenz
Teilenummer | APT30GP60BG |
PNEDA Teilenummer | APT30GP60BG |
Beschreibung | IGBT 600V 100A 463W TO247 |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.574 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
APT30GP60BG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APT30GP60BG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- APT30GP60BG Datasheet
- where to find APT30GP60BG
- Microsemi
- Microsemi APT30GP60BG
- APT30GP60BG PDF Datasheet
- APT30GP60BG Stock
- APT30GP60BG Pinout
- Datasheet APT30GP60BG
- APT30GP60BG Supplier
- Microsemi Distributor
- APT30GP60BG Price
- APT30GP60BG Distributor
APT30GP60BG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | POWER MOS 7® |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Leistung - max | 463W |
Schaltenergie | 260µJ (on), 250µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 90nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 13ns/55ns |
Testbedingung | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 23A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.72V @ 15V, 7.5A Leistung - max 37W Schaltenergie 47µJ (on), 141µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/101ns Testbedingung 400V, 7.5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 73ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Leistung - max 625W Schaltenergie 900µJ (on), 904µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/102ns Testbedingung 600V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 64A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 417W Schaltenergie 2.3mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/110ns Testbedingung 600V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 32A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 9A Leistung - max 60W Schaltenergie 340µJ (on), 300µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 34nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 54ns/180ns Testbedingung 480V, 9A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 52A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 104A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 297W Schaltenergie 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/210ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |