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IKFW50N60DH3EXKSA1

IKFW50N60DH3EXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKFW50N60DH3EXKSA1
PNEDA Teilenummer IKFW50N60DH3EXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 40A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IKFW50N60DH3EXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKFW50N60DH3EXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKFW50N60DH3EXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 40A
Leistung - max130W
Schaltenergie1.28mJ (on), 560µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/174ns
Testbedingung400V, 40A, 8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)64ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3-AI

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

270µJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

120ns/410ns

Testbedingung

300V, 7A, 470Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

HGT1S3N60A4DS9A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

37µJ (on), 25µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/73ns

Testbedingung

390V, 3A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

29ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

460µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/40ns

Testbedingung

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

114ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AA

IKB10N60TATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 10A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

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Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 10A, 23Ohm, 15V

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115ns

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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PG-TO263

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