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IKA10N65ET6XKSA2

IKA10N65ET6XKSA2

Nur als Referenz

Teilenummer IKA10N65ET6XKSA2
PNEDA Teilenummer IKA10N65ET6XKSA2
Beschreibung IGBT 650V 15A TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKA10N65ET6XKSA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKA10N65ET6XKSA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKA10N65ET6XKSA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)42.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 8.5A
Leistung - max40W
Schaltenergie200µJ (on), 70µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/106ns
Testbedingung400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)51ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketPG-TO220-3 Full Pack

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 15A

Leistung - max

357W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

133nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/282ns

Testbedingung

600V, 15A, 14.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG4IBC20FDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14.3A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

34W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

FGH30S130P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RJH60F3DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 20A

Leistung - max

178.5W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRG4PSH71KD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

156A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 42A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

5.68mJ (on), 3.23mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

67ns/230ns

Testbedingung

800V, 42A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

107ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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