IGB10N60TATMA1
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| Teilenummer | IGB10N60TATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGB10N60TATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 110W TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.456 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IGB10N60TATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IGB10N60TATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IGB10N60TATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 110W |
| Schaltenergie | 430µJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 62nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/215ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A Leistung - max 60W Schaltenergie 52µJ (on), 30µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 1.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 5.5ns/22ns Testbedingung 400V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 21ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max 75W Schaltenergie 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/36ns Testbedingung 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/149ns Testbedingung 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 167W Schaltenergie 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42.5ns/177ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 428W Schaltenergie 2mJ (on), 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 470nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/330ns Testbedingung 400V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-41 |
