IKB40N65EH5ATMA1
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| Teilenummer | IKB40N65EH5ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKB40N65EH5ATMA1 |
| Beschreibung | 40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 30.204 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKB40N65EH5ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKB40N65EH5ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKB40N65EH5ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ 5 |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 74A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 1.1mJ (on), 400µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 95nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/157ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 78ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 300µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/120ns Testbedingung 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 76ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A Leistung - max 214W Schaltenergie 760µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/143ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 92ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max 160W Schaltenergie 950µJ (on), 2.01mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 63ns/230ns Testbedingung 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A Leistung - max 170W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 330ns/700ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PL Lieferantengerätepaket TO-3P(LH) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 144A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 320A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 80A Leistung - max 404W Schaltenergie 2.65mJ (on), 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 171nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/201ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 109ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
