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IKP39N65ES5XKSA1

IKP39N65ES5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP39N65ES5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKP39N65ES5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 39A TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 16.056
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKP39N65ES5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP39N65ES5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKP39N65ES5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™ 5
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)62A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 39A
Leistung - max188W
Schaltenergie800µJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/120ns
Testbedingung400V, 39A, 12.8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)84ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/630ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IXGM40N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

250nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/600ns

Testbedingung

480V, 40A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AE

Lieferantengerätepaket

TO-204AE

NGB8204NT4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGW60V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

750µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

334nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/208ns

Testbedingung

400V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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D2PAK

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