IXGM40N60
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| Teilenummer | IXGM40N60 |
| PNEDA Teilenummer | IXGM40N60 |
| Beschreibung | POWER MOSFET TO-3 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.362 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGM40N60 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGM40N60 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXGM40N60 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 250nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 100ns/600ns |
| Testbedingung | 480V, 40A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-204AE |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AE |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 4V, 130A Leistung - max 2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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