FGA60N65SMD
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| Teilenummer | FGA60N65SMD |
| PNEDA Teilenummer | FGA60N65SMD |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 600W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGA60N65SMD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA60N65SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGA60N65SMD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 189nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18ns/104ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 260W Schaltenergie 330µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 214nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 43ns/140ns Testbedingung 390V, 40A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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