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FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGA60N65SMD
PNEDA Teilenummer FGA60N65SMD
Beschreibung IGBT 650V 120A 600W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 15.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 18 - Apr 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA60N65SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA60N65SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA60N65SMD, FGA60N65SMD Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 433,55 KB)
PDFFGA60N65SMD Datenblatt Cover
FGA60N65SMD Datenblatt Seite 2 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 3 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 4 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 5 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 6 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 7 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 8 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 9 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 10 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 11

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FGA60N65SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 60A
Leistung - max600W
Schaltenergie1.54mJ (on), 450µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge189nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/104ns
Testbedingung400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)47ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

STGW40V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.05mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

250nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/170ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT50GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Leistung - max

446W

Schaltenergie

995µJ (on), 1070µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/240ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

AD9240AS

AD9240AS

Analog Devices

IC ADC 14BIT PIPELINED 44MQFP

LTC1453CS8#PBF

LTC1453CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 8SOIC

DPBT8105-7

DPBT8105-7

Diodes Incorporated

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

IPA60R360P7SXKSA1

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220

HCM0703-4R7-R

HCM0703-4R7-R

Eaton - Electronics Division

FIXED IND 4.7UH 5.5A 40 MOHM SMD

RB751V40T1G

RB751V40T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323

PBRC4.00HR50X000

PBRC4.00HR50X000

Kyocera

CER RES 4.0000MHZ 30PF SMD

MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC

744230900

744230900

Wurth Electronics

CMC 550MA 2LN 90 OHM SMD

NC7SZ32P5X

NC7SZ32P5X

ON Semiconductor

IC GATE OR 1CH 2-INP SC70-5

IRLML6302TRPBF

IRLML6302TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23