Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

Nur als Referenz

Teilenummer FGA60N65SMD
PNEDA Teilenummer FGA60N65SMD
Beschreibung IGBT 650V 120A 600W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 15.276
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 25 - Mär 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGA60N65SMD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGA60N65SMD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGA60N65SMD, FGA60N65SMD Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 433,55 KB)
PDFFGA60N65SMD Datenblatt Cover
FGA60N65SMD Datenblatt Seite 2 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 3 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 4 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 5 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 6 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 7 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 8 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 9 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 10 FGA60N65SMD Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FGA60N65SMD Datasheet
  • where to find FGA60N65SMD
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FGA60N65SMD
  • FGA60N65SMD PDF Datasheet
  • FGA60N65SMD Stock

  • FGA60N65SMD Pinout
  • Datasheet FGA60N65SMD
  • FGA60N65SMD Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FGA60N65SMD Price
  • FGA60N65SMD Distributor

FGA60N65SMD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 60A
Leistung - max600W
Schaltenergie1.54mJ (on), 450µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge189nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/104ns
Testbedingung400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)47ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Leistung - max

1250W

Schaltenergie

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/192ns

Testbedingung

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

STGW40V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

456µJ (on), 411µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

226nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/208ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

GN2470K4-G

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

3.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5V @ 13V, 3A

Leistung - max

2.5W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/20ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263HV

IRG4BC10SD-L

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

310µJ (on), 3.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

76ns/815ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

Kürzlich verkauft

T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

ADM232AARN

ADM232AARN

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

RT9069-25GB

RT9069-25GB

Richtek USA Inc.

IC REG LINEAR 2.5V 200MA SOT23-5

VS-30BQ015PBF

VS-30BQ015PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

MAX3486ESA+T

MAX3486ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

H1102NL

H1102NL

Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

AD7997BRUZ-0

AD7997BRUZ-0

Analog Devices

IC ADC 10BIT SAR 20TSSOP

LTM4615IV#PBF

LTM4615IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 2X0.8-5V 0.4-2.6V

STL7N10F7

STL7N10F7

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT

AD8421ARMZ-R7

AD8421ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8MSOP

JS28F128J3D75A

JS28F128J3D75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP