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IRG4PC30KDPBF

IRG4PC30KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PC30KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PC30KDPBF
Beschreibung IGBT 600V 28A 100W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.068
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IRG4PC30KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PC30KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PC30KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)58A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 16A
Leistung - max100W
Schaltenergie600µJ (on), 580µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge67nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/160ns
Testbedingung480V, 16A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)42ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

30µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/33ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGA90N33ATDTU

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IRGP4055DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

132nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/245ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

27ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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24-SMPD

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