HGTG30N60A4
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| Teilenummer | HGTG30N60A4 |
| PNEDA Teilenummer | HGTG30N60A4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A 463W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 40.266 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG30N60A4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG30N60A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG30N60A4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 463W |
| Schaltenergie | 280µJ (on), 240µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 225nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/150ns |
| Testbedingung | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 161A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 32A Leistung - max 416W Schaltenergie 534µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/112ns Testbedingung 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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