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HGTG30N60A4

HGTG30N60A4

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG30N60A4
PNEDA Teilenummer HGTG30N60A4
Beschreibung IGBT 600V 75A 463W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HGTG30N60A4 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG30N60A4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG30N60A4 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 30A
Leistung - max463W
Schaltenergie280µJ (on), 240µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/150ns
Testbedingung390V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

84A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

4.5mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 50A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ISOPLUS247™

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

93A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

195A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

415W

Schaltenergie

755µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/225ns

Testbedingung

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGWT20H65FB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

168W

Schaltenergie

77µJ (on), 170µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/139ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

APT54GA60B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

534µJ (on), 466µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

158nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/112ns

Testbedingung

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

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