APT50GS60BRDQ2G
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| Teilenummer | APT50GS60BRDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT50GS60BRDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 600V 93A 415W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GS60BRDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GS60BRDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GS60BRDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 93A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 195A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 415W |
| Schaltenergie | 755µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 235nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/225ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 340.9W Schaltenergie 450µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/170ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
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