AIHD06N60RATMA1
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| Teilenummer | AIHD06N60RATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | AIHD06N60RATMA1 |
| Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.220 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AIHD06N60RATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AIHD06N60RATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIHD06N60RATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 12A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 18A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6A |
| Leistung - max | 100W |
| Schaltenergie | 110µJ (on), 220µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 48nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/127ns |
| Testbedingung | 400V, 6A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3-313 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 60A Leistung - max 180W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 260nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
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