HGTG12N60C3D
Nur als Referenz
| Teilenummer | HGTG12N60C3D | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | HGTG12N60C3D | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 600V 24A 104W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 16.686 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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HGTG12N60C3D Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG12N60C3D |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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HGTG12N60C3D Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 104W |
| Schaltenergie | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 48nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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