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GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Nur als Referenz

Teilenummer GPA030A120MN-FD
PNEDA Teilenummer GPA030A120MN-FD
Beschreibung IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 4.212
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GPA030A120MN-FD Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGPA030A120MN-FD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GPA030A120MN-FD, GPA030A120MN-FD Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 441,99 KB)
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GPA030A120MN-FD Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Leistung - max329W
Schaltenergie4.5mJ (on), 850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge330nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/245ns
Testbedingung600V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)450ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (HB)

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/250ns

Testbedingung

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

IKY75N120CH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

3.4mJ (on), 2.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/303ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

292ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

IGW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

A3972SB-T

A3972SB-T

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1N4004GP-E3/54

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MAX660ESA+

MAX660ESA+

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IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

MC14094BDR2G

MC14094BDR2G

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IC SHIFT REGSTR 8BIT CMOS 16SOIC

2N3906BU

2N3906BU

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

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SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

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LNG995PFBW

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LED BLUE 5.8MM OVAL T/H

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SMCJ36CA

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMC

NAND256W3A2BN6E

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3

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IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT