GPA030A120MN-FD
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| Teilenummer | GPA030A120MN-FD |
| PNEDA Teilenummer | GPA030A120MN-FD |
| Beschreibung | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GPA030A120MN-FD Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GPA030A120MN-FD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
GPA030A120MN-FD, GPA030A120MN-FD Datenblatt
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GPA030A120MN-FD Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 329W |
| Schaltenergie | 4.5mJ (on), 850µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 330nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/245ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 450ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 208W Schaltenergie 370µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/90ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
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