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APT20GF120BRDQ1G

APT20GF120BRDQ1G

Nur als Referenz

Teilenummer APT20GF120BRDQ1G
PNEDA Teilenummer APT20GF120BRDQ1G
Beschreibung IGBT 1200V 36A 200W TO247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT20GF120BRDQ1G Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT20GF120BRDQ1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT20GF120BRDQ1G Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)36A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)64A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Leistung - max200W
Schaltenergie895µJ (on), 840µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.10ns/120ns
Testbedingung800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPDS

RJH1CV6DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/125ns

Testbedingung

600V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

180ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

452µJ (on), 141µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/91ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26.7ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

FGY75N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Leistung - max

750W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 770µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/136ns

Testbedingung

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TO-252, (D-Pak)

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