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AUIRGR4045DTRL

AUIRGR4045DTRL

Nur als Referenz

Teilenummer AUIRGR4045DTRL
PNEDA Teilenummer AUIRGR4045DTRL
Beschreibung IGBT 600V 12A 77W DPAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.184
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AUIRGR4045DTRL Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAUIRGR4045DTRL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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AUIRGR4045DTRL Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A
Leistung - max77W
Schaltenergie56µJ (on), 122µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19.5nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/75ns
Testbedingung400V, 6A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)74ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

790µJ (on), 1.98mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/54ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

110µJ (on), 230µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

98nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/100ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGD3440G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

695W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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