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FQS4901TF

FQS4901TF

Nur als Referenz

Teilenummer FQS4901TF
PNEDA Teilenummer FQS4901TF
Beschreibung MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 93.228
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FQS4901TF Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQS4901TF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
FQS4901TF, FQS4901TF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 815,36 KB)
PDFFQS4901TF Datenblatt Cover
FQS4901TF Datenblatt Seite 2 FQS4901TF Datenblatt Seite 3 FQS4901TF Datenblatt Seite 4 FQS4901TF Datenblatt Seite 5 FQS4901TF Datenblatt Seite 6 FQS4901TF Datenblatt Seite 7 FQS4901TF Datenblatt Seite 8 FQS4901TF Datenblatt Seite 9 FQS4901TF Datenblatt Seite 10

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FQS4901TF Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)400V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.450mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2Ohm @ 225mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds210pF @ 25V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 16V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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IRF5851TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

960mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

SI7270DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Leistung - max

17.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

IRF7316GTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NX3020NAKS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Leistung - max

375mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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