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NTLTD7900ZR2G

NTLTD7900ZR2G

Nur als Referenz

Teilenummer NTLTD7900ZR2G
PNEDA Teilenummer NTLTD7900ZR2G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.776
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NTLTD7900ZR2G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTLTD7900ZR2G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTLTD7900ZR2G, NTLTD7900ZR2G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 334,57 KB)
PDFNTLTD7900ZR2G Datenblatt Cover
NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 2 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 3 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 4 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 5 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 6 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 7 NTLTD7900ZR2G Datenblatt Seite 8

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NTLTD7900ZR2G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 16V
Leistung - max1.5W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketMicro8™

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.07nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

161pF @ 15V

Leistung - max

760mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-26

SI4900DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

NDS9957

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 30V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IPG20N04S4L11ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 15µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1990pF @ 25V

Leistung - max

41W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

Leistung - max

27W (Tc), 48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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