AUIRF7379Q
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| Teilenummer | AUIRF7379Q | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | AUIRF7379Q | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 51.499 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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AUIRF7379Q Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AUIRF7379Q |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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AUIRF7379Q Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.8A, 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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