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SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7270DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7270DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7270DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7270DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7270DP-T1-GE3, SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 331,33 KB)
PDFSI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI7270DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI7270DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung - max17.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

IXYS

Serie

TrenchMV™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

85V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

112A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 25V

Leistung - max

150W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Leistung - max

840mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSOT-23-6

DMN601DMK-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

304nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

QJD1210SA2

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 34mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8200pF @ 10V

Leistung - max

415W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRF7509TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

Kürzlich verkauft

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LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF

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MAX3208EAUB+T

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LTM4613IV#PBF

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1.5KE33A

1.5KE33A

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RJH60D5BDPQ-E0#T2

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MAX15006AATT/V+T

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