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QJD1210SA2

QJD1210SA2

Nur als Referenz

Teilenummer QJD1210SA2
PNEDA Teilenummer QJD1210SA2
Beschreibung MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 3.744
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QJD1210SA2 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQJD1210SA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
QJD1210SA2, QJD1210SA2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 440,75 KB)
PDFQJD1210SA2 Datenblatt Cover
QJD1210SA2 Datenblatt Seite 2 QJD1210SA2 Datenblatt Seite 3 QJD1210SA2 Datenblatt Seite 4 QJD1210SA2 Datenblatt Seite 5 QJD1210SA2 Datenblatt Seite 6

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QJD1210SA2 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs330nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8200pF @ 10V
Leistung - max415W
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

567mOhm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 50V

Leistung - max

7.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56.2mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

446pF @ 30V

Leistung - max

34W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta), 34A (Tc), 13.8A (Ta), 52A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 10A, 10V, 7.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V, 20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 15V, 1300pF @ 15V

Leistung - max

1.9W (Ta), 22W (Tc), 2.1W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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