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FGP30N6S2D

FGP30N6S2D

Nur als Referenz

Teilenummer FGP30N6S2D
PNEDA Teilenummer FGP30N6S2D
Beschreibung IGBT 600V 45A 167W TO220AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGP30N6S2D Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGP30N6S2D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGP30N6S2D, FGP30N6S2D Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 281,66 KB)
PDFFGB30N6S2DT Datenblatt Cover
FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 2 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 3 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 4 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 5 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 6 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 7 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 8 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 9 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 10 FGB30N6S2DT Datenblatt Seite 11

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FGP30N6S2D Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)108A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
Leistung - max167W
Schaltenergie55µJ (on), 100µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.6ns/40ns
Testbedingung390V, 12A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)46ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

APT44GA60BD30

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 26A

Leistung - max

337W

Schaltenergie

409µJ (on), 258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/84ns

Testbedingung

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKZ50N65EH5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

273W

Schaltenergie

410µJ (on), 190µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

109nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/250ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

53ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

ISL9V5036S3ST_SB82026C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/10.8µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

IGW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

2.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/520ns

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Kürzlich verkauft

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

LTST-C171KRKT

LTST-C171KRKT

Lite-On Inc.

LED RED CLEAR SMD

C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

TDK

CAP CER 10UF 100V X7S 2220

WSL1206R0500FEA

WSL1206R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1/4W 1206

MCP23S17T-E/SO

MCP23S17T-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

1N4001G

1N4001G

SMC Diode Solutions

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

MC79M12CDTRKG

MC79M12CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK

XC7VX330T-2FFG1761I

XC7VX330T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 700 I/O 1761FCBGA

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

YC324-JK-075K1L

YC324-JK-075K1L

Yageo

RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 2012

T520V337M2R5ATE025

T520V337M2R5ATE025

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

MC68HC908JB8ADW

MC68HC908JB8ADW

NXP

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 28SOIC