RGTH50TK65GC11
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| Teilenummer | RGTH50TK65GC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTH50TK65GC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTH50TK65GC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTH50TK65GC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTH50TK65GC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 26A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 59W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 49nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 27ns/94ns |
| Testbedingung | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFM |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 15V, 75A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 260µJ (on), 250µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/55ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 14A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 3A Leistung - max 75W Schaltenergie 590µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/220ns Testbedingung 850V, 6A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 100µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/85ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 134A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A Leistung - max 595W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 305nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/170ns Testbedingung 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2] |
