RJH60D2DPE-00#J3
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| Teilenummer | RJH60D2DPE-00#J3 |
| PNEDA Teilenummer | RJH60D2DPE-00-J3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 25A 63W LDPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.896 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJH60D2DPE-00#J3 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH60D2DPE-00#J3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH60D2DPE-00#J3, RJH60D2DPE-00#J3 Datenblatt
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RJH60D2DPE-00#J3 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 63W |
| Schaltenergie | 100µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 19nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 32ns/85ns |
| Testbedingung | 300V, 12A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-83 |
| Lieferantengerätepaket | 4-LDPAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 20A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 105ns/45ns Testbedingung 600V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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