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RJH60D2DPE-00#J3

RJH60D2DPE-00#J3

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D2DPE-00#J3
PNEDA Teilenummer RJH60D2DPE-00-J3
Beschreibung IGBT 600V 25A 63W LDPAK
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D2DPE-00#J3 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D2DPE-00#J3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH60D2DPE-00#J3 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 12A
Leistung - max63W
Schaltenergie100µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge19nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.32ns/85ns
Testbedingung300V, 12A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-83
Lieferantengerätepaket4-LDPAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

938W

Schaltenergie

6.4mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/282ns

Testbedingung

600V, 75A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/194ns

Testbedingung

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

24W

Schaltenergie

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14.2ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

SKB02N60E3266ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

64µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/259ns

Testbedingung

400V, 2A, 118Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

IRG7CH73K10EF-R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 20A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

105ns/45ns

Testbedingung

600V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Paket / Fall

Die

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