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IRG7PH50UPBF

IRG7PH50UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG7PH50UPBF
PNEDA Teilenummer IRG7PH50UPBF
Beschreibung IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.074
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IRG7PH50UPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG7PH50UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG7PH50UPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)140A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Leistung - max556W
Schaltenergie3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge290nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/430ns
Testbedingung600V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

165A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

800µJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

165nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/170ns

Testbedingung

960V, 18A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

66A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 39A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/250ns

Testbedingung

480V, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IRG4IBC30UD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

380µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/91ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

IRG4RC10KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

250µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

49ns/97ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 17A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

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Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/80ns

Testbedingung

300V, 17A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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