Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG18N120BN
PNEDA Teilenummer HGTG18N120BN
Beschreibung IGBT 1200V 54A 390W TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.104
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGTG18N120BN Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG18N120BN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGTG18N120BN, HGTG18N120BN Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 112,8 KB)
PDFHGTG18N120BN Datenblatt Cover
HGTG18N120BN Datenblatt Seite 2 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 3 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 4 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 5 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 6 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 7 HGTG18N120BN Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HGTG18N120BN Datasheet
  • where to find HGTG18N120BN
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HGTG18N120BN
  • HGTG18N120BN PDF Datasheet
  • HGTG18N120BN Stock

  • HGTG18N120BN Pinout
  • Datasheet HGTG18N120BN
  • HGTG18N120BN Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HGTG18N120BN Price
  • HGTG18N120BN Distributor

HGTG18N120BN Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)165A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 18A
Leistung - max390W
Schaltenergie800µJ (on), 1.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/170ns
Testbedingung960V, 18A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FID35-06C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

300V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IRG4BC15UD-S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

240µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IGW30N60TPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

710µJ (on), 420µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/179ns

Testbedingung

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

STGW35NC120HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

135A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 20A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

1.66mJ (on), 4.44mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/275ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

152ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

550µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/150ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Kürzlich verkauft

LPC8N04FHI24Z

LPC8N04FHI24Z

NXP

IC MCU 32BIT 32KB FLASH 24HVQFN

EA DOGS102B-6

EA DOGS102B-6

Display Visions

LCD MOD GRAPH 102X64 BLUE

AD5664ARMZ

AD5664ARMZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 10MSOP

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

MCP23S17T-E/SO

MCP23S17T-E/SO

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER SPI 16B 28SOIC

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

LTM2882HY-3#PBF

LTM2882HY-3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TXRX ISOL HALF 2/2 32BGA

FIN1002M5X

FIN1002M5X

ON Semiconductor

IC RECEIVER 0/1 SOT23-5

MAX3232EUE+T

MAX3232EUE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

M48T59Y-70PC1

M48T59Y-70PC1

STMicroelectronics

IC RTC CLK/CALENDAR PAR 28DIP

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

MC9S08AC96CLKE

MC9S08AC96CLKE

NXP

IC MCU 8BIT 96KB FLASH 80LQFP