FGD3050G2
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD3050G2 |
| PNEDA Teilenummer | FGD3050G2 |
| Beschreibung | IGBT 500V 27A DPAK-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGD3050G2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD3050G2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGD3050G2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 40A Leistung - max 454W Schaltenergie 2.2mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 212nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/145ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 163ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
