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FGB20N60SFD

FGB20N60SFD

Nur als Referenz

Teilenummer FGB20N60SFD
PNEDA Teilenummer FGB20N60SFD
Beschreibung IGBT 600V 40A 208W D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.840
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGB20N60SFD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGB20N60SFD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGB20N60SFD, FGB20N60SFD Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 518,9 KB)
PDFFGB20N60SFD Datenblatt Cover
FGB20N60SFD Datenblatt Seite 2 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 3 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 4 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 5 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 6 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 7 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 8 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 9 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 10 FGB20N60SFD Datenblatt Seite 11

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FGB20N60SFD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
Leistung - max208W
Schaltenergie370µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/90ns
Testbedingung400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

370µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/90ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

29A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

Leistung - max

240W

Schaltenergie

7.2mJ (on), 1.04mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

208nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/390ns

Testbedingung

1500V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

700ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

AOT5B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.98V @ 15V, 5A

Leistung - max

83W

Schaltenergie

80µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8.5ns/106ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

STGWT20V60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/100ns

Testbedingung

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

3.5ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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ISOPLUS247™

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