NGD8201NT4
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGD8201NT4 |
| PNEDA Teilenummer | NGD8201NT4 |
| Beschreibung | IGBT 440V 20A 125W DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.184 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 13 - Apr 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGD8201NT4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGD8201NT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGD8201NT4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 440V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 4.5V, 20A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/5µs |
| Testbedingung | 300V, 9A, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 60A Leistung - max 300W Schaltenergie 8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/300ns Testbedingung 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/130ns Testbedingung 400V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 196A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max 160W Schaltenergie 950µJ (on), 2.01mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 63ns/230ns Testbedingung 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max 65W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 13.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/69ns Testbedingung 400V, 4A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 40A Leistung - max 600W Schaltenergie 3.87mJ (on), 1.25mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/226ns Testbedingung 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 340ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
