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FGH20N60SFDTU

FGH20N60SFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer FGH20N60SFDTU
PNEDA Teilenummer FGH20N60SFDTU
Beschreibung IGBT 600V 40A 165W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.944
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 4 - Jan 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FGH20N60SFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH20N60SFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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FGH20N60SFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypField Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
Leistung - max165W
Schaltenergie370µJ (on), 160µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.13ns/90ns
Testbedingung400V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGD2736G3-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4µs/15µs

Testbedingung

14V, 10A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

7µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

AUIRGP50B60PD1E

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

255µJ (on), 375µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

205nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/130ns

Testbedingung

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRGP30B60KD-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

304W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

125ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGB25N40LZAG

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

435V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

26nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

1.1µs/4.6µs

Testbedingung

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

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