FGA50N100BNTDTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGA50N100BNTDTU | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGA50N100BNTDTU | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1000V 50A 156W TO3P | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.240 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 11 - Feb 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FGA50N100BNTDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGA50N100BNTDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGA50N100BNTDTU, FGA50N100BNTDTU Datenblatt
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FGA50N100BNTDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 275nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A Leistung - max 417W Schaltenergie 420µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 215nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/123ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 94ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
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