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FF600R12ME4CBOSA1

FF600R12ME4CBOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer FF600R12ME4CBOSA1
PNEDA Teilenummer FF600R12ME4CBOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 600A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.516
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Voraussichtliche Lieferung Feb 9 - Feb 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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FF600R12ME4CBOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFF600R12ME4CBOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FF600R12ME4CBOSA1, FF600R12ME4CBOSA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 603,16 KB)
PDFFF600R12ME4CPB11BPSA1 Datenblatt Cover
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FF600R12ME4CBOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1060A
Leistung - max4050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce37nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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IGBT-Typ

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Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1008W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1200A

Leistung - max

2400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

160nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

2PS12017E44G35911NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

2160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-25°C ~ 55°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT35GP120J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Leistung - max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

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