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2PS12017E44G35911NOSA1

2PS12017E44G35911NOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer 2PS12017E44G35911NOSA1
PNEDA Teilenummer 2PS12017E44G35911NOSA1
Beschreibung IGBT MODULE 690V 574A
Hersteller Infineon Technologies
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2PS12017E44G35911NOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2PS12017E44G35911NOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
2PS12017E44G35911NOSA1, 2PS12017E44G35911NOSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 677,67 KB)
PDF2PS12017E44G35911NOSA1 Datenblatt Cover
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2PS12017E44G35911NOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max2160W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 300A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-25°C ~ 55°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Leistung - max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 13A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

BSM200GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1550W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FD800R45KL3KB5NPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800A

Leistung - max

9000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 800A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

185nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-50°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

CM300DU-34KA

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

42nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Module

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