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FD1000R17IE4BOSA2

FD1000R17IE4BOSA2

Nur als Referenz

Teilenummer FD1000R17IE4BOSA2
PNEDA Teilenummer FD1000R17IE4BOSA2
Beschreibung IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FD1000R17IE4BOSA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFD1000R17IE4BOSA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FD1000R17IE4BOSA2, FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 658,42 KB)
PDFFD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Cover
FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 2 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 3 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 4 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 5 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 6 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 7 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 8 FD1000R17IE4BOSA2 Datenblatt Seite 9

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FD1000R17IE4BOSA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 1000A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce81nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APT30GF60JU3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Leistung - max

192W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.85nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

MII75-12A3

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Leistung - max

370W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

4mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y4-M5

Lieferantengerätepaket

Y4-M5

FS600R07A2E3B32BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BSM200GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1550W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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