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APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Nur als Referenz

Teilenummer APT30GF60JU3
PNEDA Teilenummer APT30GF60JU3
Beschreibung IGBT 600V 58A 192W SOT227
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

APT30GF60JU3 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT30GF60JU3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
APT30GF60JU3, APT30GF60JU3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 531,71 KB)
PDFAPT30GF60JU3 Datenblatt Cover
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APT30GF60JU3 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)58A
Leistung - max192W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)40µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.85nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketISOTOP®

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-25°C ~ 55°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

120mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

150nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E11

Lieferantengerätepaket

E11

FS25R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

145W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB150YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

182A

Leistung - max

892W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

120µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

ECONO3 4PACK

APTGT75DA120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

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