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MIO600-65E11

MIO600-65E11

Nur als Referenz

Teilenummer MIO600-65E11
PNEDA Teilenummer MIO600-65E11
Beschreibung IGBT MODULE SGL 600A E11
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.172
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MIO600-65E11 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIO600-65E11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIO600-65E11, MIO600-65E11 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 253,98 KB)
PDFMIO600-65E11 Datenblatt Cover
MIO600-65E11 Datenblatt Seite 2 MIO600-65E11 Datenblatt Seite 3 MIO600-65E11 Datenblatt Seite 4 MIO600-65E11 Datenblatt Seite 5

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MIO600-65E11 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationSingle Switch
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)600A
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4.2V @ 15V, 600A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)120mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce150nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE11
LieferantengerätepaketE11

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

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Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

900µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Leistung - max

89W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.03V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

75µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.07nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EMIPAK-2B

Lieferantengerätepaket

EMIPAK-2B

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

675A

Leistung - max

2250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM30GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

135W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT75SK60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

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SP1

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