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VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ETL015Y120H
PNEDA Teilenummer VS-ETL015Y120H
Beschreibung IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETL015Y120H Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ETL015Y120H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-ETL015Y120H, VS-ETL015Y120H Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 269,45 KB)
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VS-ETL015Y120H Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)22A
Leistung - max89W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.03V @ 15V, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)75µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.07nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallEMIPAK-2B
LieferantengerätepaketEMIPAK-2B

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600A

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

41nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-20°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

F4150R17ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

230A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT150DU120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGF300SK120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

CM75TJ-24F

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

29nF @ 10V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

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